특허(전기전자)
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본 발명은 탄화수소계 고분자전해질막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 탄화수소계 고분자전해질막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가교제 혼합물과 탄화수소계 고분자를 최적의 조성비로 혼합하여 첨가하고 방사선을 조사하여 탄화수소계 고분자전해질막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법에 따른 고분자전해질막은 고온 및 치수 안정성이 현저히 향상되므로, 이온교환막, 연료전지막, 전지용분리막 등의 고분자전해질막으로 유용하게 사용될 수 있다.
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