특허(화학)
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본 발명은 식각과 성장 메커니즘의 반복을 통해 크기와 형상을 조절할 수 있는 간단한 합성법을 이용하여 균일한 구형의 금나노입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구형 금나노입자 제조방법은 (a) 금전구체, 환원용매, 양이온 계면활성제, 무기산의 혼합물을 가열하여 금나노입자를 제조하는 단계, (b) 상기 혼합물을 상온냉각하고, 상기 혼합물에 상기 금전구체를 1차추가 투입하여 상기 금나노입자를 15시간 이상 에칭하는 단계, (c) 상기 혼합물을 승온하여 상기 금나노입자를 다면체의 형태로 재성장시키는 단계 및 (d) 상기 혼합물에 상기 금전구체를 2차추가 투입하여 상기 금나노입자를 15시간 이상 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 (c) 및 (d) 단계를 일단위공정으로 하여 상기 일단위공정을 1회 이상 수행하는 것을 특징으로 한다.
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