특허(전기전자)
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상품 기본설명
개시된 전도성물질 나노센서 제조방법은, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계, 상호 이격된 전극 사이에 희생층을 적층하는 희생층적층단계, 희생층이 적층된 전극 상부에 개방홀과 전기접촉부가 형성된 절연층을 적층하는 절연층적층단계, 전도성물질이 용해된 현탁액에 희생층 및 절연층이 적층된 전극을 침지한 상태로 전극 및 현탁액에 전류를 공급하여 절연층의 개방홀에 전도성 물질이 적층되게 하는 전도성물질 적층단계, 희생층과 절연층 및 전도성물질이 적층된 전극을 절연층제거액에 침지시켜 절연층을 제거하는 절연층제거단계, 희생층 및 전도성물질이 적층된 전극을 희생층제거액에 침지시켜 희생층을 제거하는 희생층제거단계를 포함한다. 이와 같은 전도성물질 나노센서 제조방법은, 절연층의 개방홀을 통해 한 쌍의 전극을 연결하는 나노와이어로서 모노머나 금속 재질인 전도성물질을 전기반응으로 적층부착되게 하여 원하는 위치에 전도성물질의 나노와이어를 형성할 수 있으며, 별도의 배열작업이 필요없게 됨과 더불어 전도성물질과 각 전극의 연결부위에서 저항이 적게 발생되게 하는 효과를 제공할 수 있다.
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