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특허(화학)

저산소 질화알루미늄 제조방법 요약정보 및 구매

본 발명에 따른 저산소 AlN 분말의 제조방법은 알루미늄 및 함질소유기화합물을 함유하는 원료를 질소분위기에서 자전고온합성(SHS; Self-propagating High-temperature Synthesis)시켜 잔존산소량이 낮은 AlN 분말을 제조하는 특징이 있다. 상세하게는 산소를 함유하지 않으며, 자전고온합성 시 질소를 공급하는 함질소유기화합물을 첨가하고, 질소압 및 질소 유속을 포함하는 자전고온합성 조건을 적화시켜 잔존산소량이 낮으며 화학양론비에 근접한 질화알루미늄을 제조하는 특징이 있다. 본 발명에 따른 제조방법은 공정시간이 수초 내지 수분으로 매우 짧고, 열효율이 우수하며, 그 공정이 단순하고, 대량생산 가능하며, 반응과정에서 유해 가스가 생성되지 않는 친환경적 공법이며, 잔존산소량이 매우 낮고 화학양론비에 근접한 질화알루미늄 분말을 제조할 수 있는 장점이 있다.

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상품 기본설명

본 발명에 따른 저산소 AlN 분말의 제조방법은 알루미늄 및 함질소유기화합물을 함유하는 원료를 질소분위기에서 자전고온합성(SHS; Self-propagating High-temperature Synthesis)시켜 잔존산소량이 낮은 AlN 분말을 제조하는 특징이 있다. 상세하게는 산소를 함유하지 않으며, 자전고온합성 시 질소를 공급하는 함질소유기화합물을 첨가하고, 질소압 및 질소 유속을 포함하는 자전고온합성 조건을 적화시켜 잔존산소량이 낮으며 화학양론비에 근접한 질화알루미늄을 제조하는 특징이 있다. 본 발명에 따른 제조방법은 공정시간이 수초 내지 수분으로 매우 짧고, 열효율이 우수하며, 그 공정이 단순하고, 대량생산 가능하며, 반응과정에서 유해 가스가 생성되지 않는 친환경적 공법이며, 잔존산소량이 매우 낮고 화학양론비에 근접한 질화알루미늄 분말을 제조할 수 있는 장점이 있다.

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